イベント・セミナー富士通計算化学ユーザーフォーラム2014
本フォーラムでは、計算化学を活用し、優れた研究を行っているお二方に、分子軌道法や分子動力学法を用いた最先端の研究についてご講演いただきます。計算化学分野の第一人者である講師の方々をはじめ、皆様方に活発な意見交換を行っていただく場を提供することで、計算化学を研究に活用する際の問題解決の一助にさせていただきたいと考えております。
多くの皆様方の積極的なご参加を心よりお待ちしております。
開催概要
- 開催日時
- 2014年11月26日（水） 13時00分～16時40分 （受付：12時00分～13時00分）
- 会場
-
富士通トラステッド・クラウド・スクエア Seminar Room1
〒105-6125 東京都港区浜松町2-4-1世界貿易センタービル 30階
・JR山手線・京浜東北線/東京モノレール「浜松町駅」より2階コンコースで直結
東京駅から6分、羽田空港から22分
・都営地下鉄浅草線・大江戸線「大門駅」より地下1階で直結（B3出口）
浅草から15分、新宿から15分
- 定員
- 35名
- 受講料（税込）
- 無料
- 講師
-
・静岡大学 大学院工学研究科電子物質科学専攻
静岡大学創造科学技術大学院ナノマテリアル部門兼担
准教授 田中 康隆 様
・首都大学東京 都市教養学部 理工学系 物理学コース
理工学研究科 物理学専攻
教授 真庭 豊 様
・株式会社 富士通研究所
- 受講をお勧めする方
- 計算化学をご利用中の方、今後の導入をご検討中の方
- 主催
- 富士通株式会社
- 詳細
- ご案内状
お申込受付期間が終了したため、
受付を締め切らせていただきました。
プログラム
- 12:00～13:00
- 受付、個別相談
※個別相談はメールで受付を行っております。ご希望の場合は、予め富士通計算化学ユーザーフォーラム2014担当にメールでお申込みください。
- 13:00～13:10
- 開会のご挨拶
富士通株式会社
TCソリューション事業本部 HPCアプリケーション統括部
シニアマネージャー 高橋 篤也
- 13:10～14:10
- 招待講演：「電池材料開発における理論科学計算」
静岡大学 大学院工学研究科電子物質科学専攻
静岡大学創造科学技術大学院ナノマテリアル部門兼担
准教授 田中 康隆 様
【要旨】現在一番活発な分野のひとつである電池材料開発に、ここ数年理論科学の波が押し寄せてきている様に思われます。理論科学計算を用いる第一の目的は、「材料開発コスト低減」であると考えられます。使い易いGUI（グラフィック・ユーザー・インターフェース）の開発と計算コスト（ソフトとハードの値段）の低下は、材料の開発と合成を専門にする人たちにとっても、理論科学計算への敷居を低くしていると思われます。理論計算の理論ではなく、実際の応用例を中心に、演者の分子軌道計算、密度汎関数法、分子動力学計算を用いた電池材料開発の経緯と経過をお話しします。
- 14:10～14:25
- 休憩
- 14:25～15:10
- 招待講演：「ナノ構造炭素とその複合系の計算機シミュレーション」
首都大学東京 都市教養学部 理工学系 物理学コース
理工学研究科 物理学専攻
教授 真庭 豊 様
【要旨】おもに計算機シミュレーションを用いた、ナノ構造炭素とナノ構造炭素がつくる制限空間内部の物質系の物性予測についてお話します。単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）は原子レベルで均一な円筒空洞を提供します。その空洞内部に磁性分子である酸素分子を導入すると、どの様に配列するかを調べました。ＳＷＣＮＴの直径により、酸素分子は1次元配列から螺旋チューブ配列をとることがわかりました。1次元配列の酸素は、近接分子同士の反強磁性的な相互作用により、ハルデン磁石と呼ばれる磁石になりうることを予測し、ごく最近その実証にも成功しました。水では反強誘電的な水分子配列が出現することを予測しました。ＳＷＣＮＴ骨格の精密構造や3次元ナノ炭素内の水の構造についても議論します。
- 15:10～15:25
- 休憩
- 15:25～16:10
- 技術紹介：「可変電荷ポテンシャル法を用いた分子動力学シミュレーション ～Si/SiO2界面における酸化過程～」
株式会社 富士通研究所 ものづくり技術研究所
デザインエンジニアリング研究部
高橋 憲彦
【要旨】 Si/SiO2界面は種々のナノデバイスを作成する上で最も基本となる界面の一つで、その制御のためには、界面付近での酸化反応過程を原子レベルで理解することが非常に重要です。このような異種材料界面系に対して分子動力学シミュレーションを行う場合、従来用いられてきた電荷固定のポテンシャルで統一的に扱うのは困難で、原子間の電荷移動の効果を考慮に入れた手法が必要となります。そこで、この効果を取り入れることが可能な可変電荷ポテンシャルを用いた分子動力学シミュレーションにより、界面からのSiO放出過程、放出されたSiOのSiO2ネットワークへの組み込み過程、また酸素空孔サイトがSiO2中を拡散する過程などについて調べた結果を紹介します。
- 16:10～16:40
- 製品紹介：「TCクラウドのご紹介」
富士通株式会社
TCソリューション事業本部 HPCアプリケーション統括部
シニアマネージャー 高橋 篤也
- 16:40
- 閉会
お申込受付期間が終了したため、
受付を締め切らせていただきました。
- 注意事項
-
- お使いいただいているブラウザやネットワーク環境によって、『お申し込みはこちら』ボタンをご利用になれない場合があります。
- 申込ページが正常に動作しない/表示されない場合は、下記お問い合わせ先までご連絡ください。
セミナーのお申し込み内容変更・
キャンセルについて
セミナー受講の変更・キャンセル等をご希望される場合は、お申し込み完了時に送付したメールをご確認いただき、
メール本文に記載されたセミナー主催者へのお問い合わせ先よりご連絡をお願いいたします。
お申し込みの際に、富士通IDをご利用または新規登録されたお客様は、下記のリンクよりWeb画面でお手続きいただけます。
